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LED电学特性

发布时间:2014-06-26 浏览次数:13863

1.1  I-V特性  表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质:单向导电性,即外加正偏压表现低接触电阻,反之为高接触电阻。  

(1) 正向死区:a点对于V0 为开启电压,当V<Va,外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场,此时R很大;开启电压对于不同LED其值不同,GaAs为1V,红色GaAsP为1.2V,GaP为1.8V,GaN为2.5V。

(2)正向工作区:电流IF与外加电压呈指数关系   IF = IS (e qVF/KT –1)   -------------------------IS 为反向饱和电流 。

V>0时,V>VF的正向工作区IF 随VF指数上升   IF = IS e qVF/KT    

(3)反向死区 :V<0时pn结加反偏压   V= - VR 时,反向漏电流IR(V= -5V)时,GaP为0V,GaN为10uA。  

(4)反向击穿区 V<- VR ,VR 称为反向击穿电压;VR 电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V<- VR时,则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同,各种LED的反向击穿电压VR也不同。


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